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飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nano TOF 3+
二次離子質(zhì)譜儀
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產(chǎn)品描述
飛行時間二次離子質(zhì)譜儀
- 新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器,更好的質(zhì)量分辨率
- 適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析
- 離子束技術(shù)
- 平行成像 MS/MS 功能,助力有機大分子結(jié)構(gòu)分析
- 多功能選配附件
TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品
寬帶通能量+寬立體接收角度
寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析
實現(xiàn)高精度分析的一次離子槍
離子束技術(shù)實現(xiàn)更高質(zhì)量分辨
PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析 :在高質(zhì)量分辨模式下,其空間分辨率優(yōu)于500 nm ;在高
空間分辨模式下,其空間分辨模式優(yōu)于50 nm。通過結(jié)合高強度離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器,可以實現(xiàn)低
噪聲、高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測量 ;在這兩種模式下,只需幾分鐘的測試時間,均可完成采譜分析。
TOF-SIMS自動化多樣品分析-適用于絕緣材料
PHI nanoTOF3+搭載全新開發(fā)的自動化多樣品分析功能,程序可根據(jù)樣品導電性自動調(diào)整分析時所需的高度與樣品臺偏壓,可以對包括絕緣材料在內(nèi)的各類樣品進行無人值守自動化TOF-SIMS分析。
整個分析過程非常簡單,只需三步即可對多個樣品進行表面或深度分析 :①在進樣室拍攝樣品臺照片 ;②在進樣室拍攝的照片上指定分析點 ;③按下分析鍵,設備自動開始分析。過去,必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進行TOF-SIMS分析 ;現(xiàn)在,無論操作人員是否熟練,都可以獲得高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)。
標配自動化傳樣系統(tǒng)
PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現(xiàn)優(yōu)異的全自動樣品傳送系統(tǒng):樣品尺寸可達100mmx100 mm,而且分析室標配內(nèi)置樣品托停放裝置 ;結(jié)合分析序列編輯器(Queue Editor),可以實現(xiàn)對大量樣品的全自動連續(xù)測試。
采用新開發(fā)的脈沖氳離子槍獲得
Patent自動荷電雙束中和技術(shù)
TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品,而絕緣樣品表面通常有荷電效應。PHI nanoTOF3+采用自動荷電雙束中和技術(shù),通過同時發(fā)射低能量電子束和低能量氳離子束,可實現(xiàn)對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動荷電中和,無需額外的人為操作。
·需要選配Ar離子槍
遠程訪問實現(xiàn)遠程控制儀器
PHI nanoTOF3+允許通過局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。只需將樣品臺放入進樣室,就可以對進樣、換樣、測試和分析等所有操作進行遠程控制。我們的專業(yè)人員可以對儀器進行遠程診斷*如需遠程診斷,請聯(lián)系我們的客戶服務人員。
從截面加工到截面分析:只需一個離子源即可完成
標配離子槍FIB(Focused lon Beam)功能
在PHI nanoTOF3+中,液態(tài)金屬離子槍具備FIB功能,可以使用單個離子槍對樣品進行橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操作計算機,可以快速輕松地完成從FIB處理到TOF-SIMS分析的全過程。此外,可在冷卻條件下進行FIB加工。在選配Ga源進行FIB加工時,可以獲得FIB加工區(qū)域的3D影像 ;Ga源還可以作為第二分析源進行TOF-SIMS分析。
通過平行成像MS/MS進行分子結(jié)構(gòu)分析[選配]
MS/MS平行成像同時采集MS1/MS2數(shù)據(jù)
在TOF-SIMS測試中,MS1質(zhì)量分析分析器接收從樣品表面產(chǎn)生的所有二次離子碎片,對于質(zhì)量數(shù)接近的大分子離子,MS1譜圖難以區(qū)分。通過安裝串聯(lián)質(zhì)譜MS2,對于特定離子進行碰撞誘導解離生產(chǎn)特征離子碎片,MS2譜圖可以實現(xiàn)對分子結(jié)構(gòu)的進一步鑒定。PHI nanoTOF3 +具備串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS平行成像功能,可以同時獲取分析區(qū)域的MS1和MS2數(shù)據(jù),為有機大分子結(jié)構(gòu)解析提供了強有力的工具。
多樣化配置充分發(fā)揮TOF-SIMS潛力
可拆卸手套箱:可安裝在樣品導入室
可以選配直接連接到樣品進樣室的可拆卸手套箱。鋰離子電池和有機OLED等容易與大氣發(fā)生反應的樣品可以直接安裝在樣品臺上。此外,在冷卻分析后更換樣品時,可以防止樣品表面結(jié)霜。
氬團簇離子源(Ar-GCIB):有機材料深度剖析
使用氬團簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機材料的破壞,從而在刻蝕過程中保留有機大分子結(jié)構(gòu)信息。
Cs源和Ar/O2源:無機材料深度剖析
可根據(jù)測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額,使用Cs源可增強負離子產(chǎn)額 ;O2源可增強正離子產(chǎn)額
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