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全自動多功能掃描聚焦X射線光電子能譜
X射線光電子能譜
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產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特點
- 易操作式多功能選配附件
- 全自動樣品傳送停放
- 高性能大面積和微區(qū) XPS 分析
- 快速精準深度剖析
- 為電池、半導(dǎo)體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供全面解決方案
簡單易操作
PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗,儀器高性能、全自動化、簡單易操作。操作界面可在同一個屏幕內(nèi)設(shè)置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù),同時保留諸如進樣照片導(dǎo)航和 SXI 二次電子影像精準定位等功能。
簡單友好的用戶界面
PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面,對操作人員非常友好,操作人員執(zhí)行簡單的設(shè)置操作即可完成包括所有選配附件在內(nèi)的自動化分析。
多功能選配附件
原位的多功能自動化分析,涵蓋了從LEIPS 測試導(dǎo)帶到 HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術(shù),相比于傳統(tǒng)的 XPS 而言,PHI GENESIS 體現(xiàn)了性能價值。
全面的優(yōu)良解決方案 :
高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。
多數(shù)量樣品大面積分析
- 多數(shù)量樣品大面積分析
- 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內(nèi)
- 可同時使用三個樣品托
- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品
- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復(fù)雜等各種各樣的樣品
unique可聚焦≤ 5μm 的微區(qū)X射線束斑
在 PHI GENESIS 中,聚焦掃描 X 射線源可以激發(fā)二次電子影像(SXI),利用二次電子影像可以進行導(dǎo)航、精準零誤差定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像(SXI)
二次電子影像(SXI)精準零誤差定位,保證了所見即所得。5μmX 射線束斑為微區(qū) XPS分析應(yīng)用提供了新的機遇。
快速深度剖析
PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析,包括在同一個濺射刻蝕坑內(nèi)進行多點同時分析。
高性能的深度剖析能力
( 下圖左 ) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期,可以看到氧從 LiCoO2 層轉(zhuǎn)移到 LiPON 層中,使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。
角分辨 XPS 分析
無需濺射刻蝕的深度探索
透明發(fā)光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點(QDs),結(jié)合使用XPS(Al Kα X 射線)和HAXPES(Cr Kα X 射線)對同一微觀特征區(qū)域進行分析,可以對 QDs 進行詳細的深度結(jié)構(gòu)分析。XPS 和 HAXPES 的結(jié)合使用,可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學(xué)態(tài)分析,從而避免離子束濺射引起的損傷。
深層界面的分析
應(yīng)用領(lǐng)域
主要應(yīng)用于電池、半導(dǎo)體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域。用于全固態(tài)電池、半導(dǎo)體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進功能材料都是復(fù)雜的多組分材料,其研發(fā)依賴于化學(xué)結(jié)構(gòu)到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀,具有卓越性能、高自動化和靈活的擴展能力,可以滿足客戶的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領(lǐng)域的應(yīng)用
多功能選配附件
UPS 紫外光電子能譜、LEIPS 低能反光電子能譜、AES/SAM 俄歇電子能譜、REELS 反射式能量損失譜、雙陽極X 射線源(Mg/Zr、Mg/Al)、Ar-GCIB 氬團簇離子源、Ar-GCIB 簇大小測量工具、C60 源子離簇團(VK02 樣、)品加熱冷卻模塊、4 電觸點加熱冷卻模塊、樣品保護傳送模塊、SPS 樣品定位系統(tǒng)等等。
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