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產品描述
產品特點
- 易操作式多功能選配附件
- 全自動樣品傳送停放
- 高性能大面積和微區 XPS 分析
- 快速精準深度剖析
- 為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供全面解決方案
簡單易操作
PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。操作界面可在同一個屏幕內設置常規和高級的多功能測試參數，同時保留諸如進樣照片導航和 SXI 二次電子影像精準定位等功能。
簡單友好的用戶界面
PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對操作人員非常友好，操作人員執行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內的自動化分析。
多功能選配附件
原位的多功能自動化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導帶到 HAXPES 芯能級激發的全范圍技術，相比于傳統的 XPS 而言，PHI GENESIS 體現了性能價值。
全面的優良解決方案 :
高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。
多數量樣品大面積分析
- 多數量樣品大面積分析
- 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內
- 可同時使用三個樣品托
- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數量樣品
- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品
unique可聚焦≤ 5μm 的微區X射線束斑
在 PHI GENESIS 中，聚焦掃描 X 射線源可以激發二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進行導航、精準零誤差定位、多點多區域同時分析測試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像（SXI）
二次電子影像（SXI）精準零誤差定位，保證了所見即所得。5μmX 射線束斑為微區 XPS分析應用提供了新的機遇。
快速深度剖析
PHI GENESIS 可實現高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系統可實現全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內進行多點同時分析。
高性能的深度剖析能力
( 下圖左 ) 全固態電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由氧化態還原為金屬態。
角分辨 XPS 分析
無需濺射刻蝕的深度探索
透明發光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的納米量子點（QDs），結合使用XPS（Al Kα X 射線）和HAXPES（Cr Kα X 射線）對同一微觀特征區域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。XPS 和 HAXPES 的結合使用，可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。
深層界面的分析
應用領域
主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材料及器件領域。用于全固態電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料，其研發依賴于化學結構到性能的不斷優化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有卓越性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用
多功能選配附件
UPS 紫外光電子能譜、LEIPS 低能反光電子能譜、AES/SAM 俄歇電子能譜、REELS 反射式能量損失譜、雙陽極X 射線源（Mg/Zr、Mg/Al）、Ar-GCIB 氬團簇離子源、Ar-GCIB 簇大小測量工具、C60 源子離簇團（VK02 樣、）品加熱冷卻模塊、4 電觸點加熱冷卻模塊、樣品保護傳送模塊、SPS 樣品定位系統等等。
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